ନୂଆଦିଲ୍ଲୀ: ପ୍ରତିରକ୍ଷା କ୍ଷେତ୍ରରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମାମଲାରେ ଭାରତକୁ ମିଳିଛି ଏକ ବଡ଼ ସଫଳତା। ଡିଫେନ୍ସ ରିସର୍ଚ୍ଚ ଆଣ୍ଡ ଡେଭେଲୋପମେଣ୍ଟ ଅର୍ଗାନାଇଜେସନ (DRDO) ଆଗାମୀ ପିଢ଼ିର ରଡାର ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ୱାରଫେୟାର ସିଷ୍ଟମ୍ ପାଇଁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ୱଦେଶୀ ଜ୍ଞାନକୌଶଳରେ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକଶିତ କରିଛି।

DRDO ସଫଳତାର ସହ X-ବ୍ୟାଣ୍ଡରେ କାମ କରୁଥିବା GaN-ଆଧାରିତ MMIC ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପରୀକ୍ଷଣ ସମ୍ପନ୍ନ କରିଛି।

ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ ୩୦୦ ଗୁଣା ଅଧିକ କ୍ଷମତାସମ୍ପନ୍ନ

ପ୍ରତିରକ୍ଷା ମନ୍ତ୍ରଣାଳୟର ବାର୍ଷିକ ରିପୋର୍ଟ ଅନୁଯାୟୀ:

କ୍ଷୁଦ୍ର ଚିପ୍, ଅଧିକ କ୍ଷମତା: ମାତ୍ର ୩.୫ × ୩ ମିଲିମିଟର ଆକାରର ଏହି ସ୍ୱଦେଶୀ GaN ଚିପ୍ ୩୦ ୱାଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପାୱାର ଆଉଟପୁଟ୍ ଦେଇପାରିବ।

୩୦୦ ଗୁଣା ଅଧିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା: ଏହାର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ତୁଳନାରେ ପ୍ରାୟ ୩୦୦ ଗୁଣା ଅଧିକ।

ବହୁମୁଖୀ ବ୍ୟବହାର: ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବ୍ୟବହାର ରଡାର, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ୱାରଫେୟାର ଜାମର, ଯୋଗାଯୋଗ ସିଷ୍ଟମ, ନଜରଦାରୀ ଉପକରଣ ଏବଂ ଡ୍ରୋନ୍ ସିଷ୍ଟମରେ କରାଯାଇପାରିବ।

ଏହି ସଫଳତା ପଛରେ DRDOର ସଲିଡ୍ ଷ୍ଟେଟ୍ ଫିଜିକ୍ସ ଲାବୋରେଟରୀ (SSPL) ମୁଖ୍ୟ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଛି। ଲାବୋରେଟରୀ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ୱେଫର୍ସ ତିଆରିର ସ୍ୱଦେଶୀ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମଧ୍ୟ ବିକଶିତ କରିଛି। GaN ଏବଂ SiC ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଆକାର ଓ ଓଜନ ହ୍ରାସ କରିବା ସହ ସେଗୁଡ଼ିକର କ୍ଷମତା ବୃଦ୍ଧି କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିବ।

ବିଦେଶୀ ନିର୍ଭରଶୀଳତା ହେବ ହ୍ରାସ

ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଭାରତ GaN ଭଳି ଆଡଭାନ୍ସଡ୍ କମ୍ପୋନେଣ୍ଟ ପାଇଁ ବହୁ ପରିମାଣରେ ବିଦେଶ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରୁଥିଲା। ଅନେକ ଦେଶ ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ରପ୍ତାନି ଉପରେ କଟକଣା ଲଗାଇଛନ୍ତି।

ବର୍ତ୍ତମାନ ଭାରତ ନିଜ ଦେଶରେ ହିଁ ଏହାକୁ ନିର୍ମାଣ କରିବା ଦିଗରେ ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ଆଗେଇ ଚାଲିଛି। DRDO ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଜରିଆରେ କମ୍ ଶବ୍ଦରେ ସଙ୍କେତ ଗ୍ରହଣ କରିବା ଏବଂ ମଜବୁତ୍ ସଙ୍କେତ ପଠାଉଥିବା ଉପକରଣ ସ୍ୱଦେଶୀ ଜ୍ଞାନକୌଶଳରେ ତିଆରି କରିପାରିଛି।

'ଆତ୍ମନିର୍ଭର ଭାରତ' ଦିଗରେ ବଡ଼ ପଦକ୍ଷେପ

ଆଡଭାନ୍ସଡ୍ GaN ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ବିକଶିତ କରିବା ପାଇଁ iDEX ପହଲ ଅଧୀନରେ Agnit Semiconductors ସହିତ ଏକ ବୁଝାମଣା ହୋଇଛି। ପ୍ରତିରକ୍ଷା କ୍ଷେତ୍ରରେ ସ୍ୱଦେଶୀ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମର୍ଥ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ଏବଂ 'ଆତ୍ମନିର୍ଭର ଭାରତ' ଲକ୍ଷ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ଦିଗରେ ଏହାକୁ ଏକ ଐତିହାସିକ ମାଇଲଖୁଣ୍ଟ ଭାବେ ବିବେଚନା କରାଯାଉଛି।